4个N沟道VMOS构成的H桥电路

今天小编要和大家分享的是桥电路相关信息，接下来我将从4个n沟道vmos构成的h桥电路，桥电路及包括该桥电路的整流器制造技术这几个方面来介绍。

桥电路相关技术文章4个n沟道vmos构成的h桥电路

4个n沟道vmos构成的h桥电路

为实现电动机的正、反两个方向的转动，传统的电机驱动电路一般都采用大功率的vmos管构成h桥电路。vmos管有n沟道和p沟道之分，由于制造工艺方面的原因，p沟道的vmos管通过的电流较小，因此，一般采用4个n沟道的vmos管构成h桥电路(如图1所示)。

通过控制4个vmos管的通断可控制h桥电路中的电流方向，具体为：q1，q3导通q2，q4截止时，电机电流从左往右流；q2，q4导通q1，q3截止时电机电流从右往左流，这样即可实现电动机正、反两个方向的控制。电动机的助力大小是通过改变输入的pwm信号占空比，从而改变vmos管的通断时间比例来实现 。图1中r5为电流传感器，负载电流经电流传感器变为电压信号，采样这个电压信号经过放大后送a／d模块进行a／d转换。当负载电流超过系统允许最大值时，控制器会转入限流保护模式以防止系统过载损坏；同时负载电流反馈信号也可以作为电机助力大小的辅助控制参数。

对于n沟道的vmos管，要保证其栅极g和源极s之问的电压高于+1o v，即vas>+10 v，vmos管才能正常导通。图l所示h桥驱动电路，对于低端vmos管q3，q4，可以直接在其g极和s极之问加+12v电压以使其导通；但对处于高端的vmos管q1，q2，根据vcs>+iov的要求，vmos管导通后，g极的电压应为：vc>+(10 v+vdo)。vdo为车上蓄电池电压+12 v，则vc>+22 v。因此，传统h桥电路中，对高端vmos的控制需要利用升压器件产生出+22 v以上的电压信号或采用专门的驱动芯片来驱动。

关于桥电路就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。